RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
54
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
33
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3599
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link