RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
54
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
37
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2722
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link