RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
54
83
Autour de 35% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
83
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
1663
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link