RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
54
Autour de -135% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
23
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3125
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link