RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
54
Autour de -125% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
24
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2508
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link