RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
54
Autour de -145% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
22
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3222
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link