RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
54
Autour de -69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
32
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3249
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link