RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
54
Autour de -86% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
29
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3401
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link