RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
54
Autour de -93% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3651
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link