RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
54
Autour de -93% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.9
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2619
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link