RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
54
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
33
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2806
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link