RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
54
Autour de -74% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.8
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
31
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
20.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3878
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link