RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
54
Autour de -93% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
16.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3889
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link