RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
54
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
12800
Autour de 1.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
27
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
23400
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3245
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link