RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
54
Autour de -69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
32
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3309
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link