RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
54
Autour de -86% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
29
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3291
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link