RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
54
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.5
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
35
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2179
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link