RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
54
Autour de -80% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
30
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2234
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link