RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
54
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
27
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2356
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link