RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
54
Autour de -135% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
23
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2935
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link