RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
54
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
37
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2486
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link