RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.2
9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
54
Autour de -42% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
38
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
9.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
1546
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link