RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
54
Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
38
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3005
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Comparaison des RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5402-027.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link