RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
54
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.2
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
34
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2245
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link