RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
54
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
35
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2713
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link