RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
54
Autour de -125% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
24
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2773
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link