RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
54
Autour de -116% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.5
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
25
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
1858
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link