RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
54
Autour de -170% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
20
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3127
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link