RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
54
Autour de -69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.8
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
32
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2271
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link