RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
54
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
33
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2987
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link