RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
54
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
34
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2927
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link