RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
54
62
Autour de 13% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
62
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
1808
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1NS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link