RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
54
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
39
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2359
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link