RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
54
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.3
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
40
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
1773
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link