RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
54
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
27
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
12.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2148
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston ACR16D3LS1NBG/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link