RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
54
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
33
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2828
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link