RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
63
Autour de -186% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
22
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
3096
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link