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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Raisons de considérer
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
63
Autour de -142% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
26
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
3153
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
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