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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
63
Autour de -80% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
35
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
2933
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Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
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