RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
63
Autour de -271% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
17
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
21.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
3702
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link