RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
63
Autour de -66% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
38
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
2429
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link