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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
63
Autour de -103% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
31
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
3391
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
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