RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
63
Autour de -142% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
26
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
2157
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLT8G3D1869DT1TX0. 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link