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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
63
Autour de -103% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
31
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
3046
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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