RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
63
Autour de -97% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
32
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
19.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
3372
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link