RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Note globale
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
63
Autour de -186% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
22
Vitesse de lecture, GB/s
8.1
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1945
3411
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 99U5431-005.A00LF 512MB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston K1N7HK-HYC 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link