RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Comparez
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Note globale
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Note globale
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
66
Autour de -78% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.4
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
37
Vitesse de lecture, GB/s
7.3
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1760
2230
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link