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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Comparez
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Note globale
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
51
Autour de -113% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
24
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2049
3230
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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