RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
72
Autour de 32% latence réduite
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
10
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
72
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
1731
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link