RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
49
Autour de -113% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.3
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.9
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
23
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
21.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
4151
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link